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三星开发3D芯片堆叠技术 4GB内存达成
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4月中旬我们向大家介绍了《扩展摩尔定律 IBM详述3D芯片堆叠技术》。今天，三星电子也宣布使用“穿透硅通道”（TSV）技术开发出首款全DRAM堆叠的内存封装。
三星最新的晶圆级堆叠封装（WSP）包含4块512Mb DDR2 DRAM芯片，藉以提供容量2GB的高密度内存。利用TSV处理的2GB DRAM，三星还能开发出首款基于高级WSP技术的4GB DIMM。
三星专利的WSP技术不仅降低了芯片的整体封装尺寸，同时也将提高芯片的工作速度并能降低其功耗水平。三星的WSP技术利用激光在硅芯片上垂直蚀刻出微米级的细小通道，并以铜材料填充，从而不再需要额外的空间间隔和连接芯片的导线。
这些好处使得三星的WSP技术提供更小的芯片覆盖区域和更薄的封装。在新的WSP内TSV以铝衬垫覆盖，这样做的目的在于避免重新分配层所造成的性能下降。
三星的新堆叠封装技术旨在响应业内对高密度、高性能半导体解决方案的需求，以支持2010年及以后的下一代计算系统。 |
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