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常用电子元器件的基本知识

一.部分电气图形符号:表1.1.1:图形符号 名称 图形符号 名称
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二.常用电子元器件型号命名法及主要技术指标:1.电阻器和电位器的型号命名法见表1.1.2。表1.1.2:
第1部分:主称第2部分:材料 第3部分:特征分类第4部分:序号
符号意义符号意义符号意义
电阻器电位器
R电阻器T碳膜1普通普通对主称、材料相同,仅性能指标、尺寸大小有差别,但基本不影响互换使用的产品,给予同一序号;若性能指标、尺寸大小明显影响互换使用时,则在序号后面用大写字母作为区别代号。
W电位器H合成膜2普通普通
S有机实芯3超高频――
N无机实芯4高阻――
J金属膜5高温――
Y氧化膜6――――
C沉积膜7精密精密
I玻璃釉膜8高压特殊函数
P硼碳膜9特殊特殊
U硅碳膜G高功率――
X线绕T可调――
M压敏W――微调
G光敏D――多圈
R热敏B温度补偿用――
C温度测量用――
P旁热式――
W稳压式――
Z正温度系数――
2.电阻器的主要技术指标(1).额定功率。电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻器具有不同系列的额定功率,如表1.1.3所示。表1.1.3:
名称额定功率(W)
实芯电阻器0.250.5125-
线绕电阻器0.5251352506751010015150
薄膜电阻器0.02520.0550.125100.25250.5501100
(2).标称阻值。阻值是电阻器的主要参数之一,不同类型的电阻器,阻值范围不同,不同精度的电阻器其阻值系列亦不同。根据国家标准,常用的标称电阻值系列如表1.1.4所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。表1.1.4:
标称值系列精度电阻器(R)、电位器(R)、电容器(PF)标称值
E24±5%1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.02.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.34.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1
E12±10%1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 - -3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 - -
E6±20%1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 8.2 -
表中数值再乘以10n(其中n为整数),即为某一具体电阻器阻值。(3).允许误差等级见表1.1.5。表1.1.5:
允许误差(%)±0.001±0.002±0.005±0.01±0.02±0.05±0.1
等级符号EXYHUWB
允许误差(%)±0.2±0.5±1±2±5±10±20
等级符号CDFGJ(Ⅰ)K(Ⅱ)M(Ⅲ)
3.电阻器的标志内容及方法:(1).文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律地组合来表示标称阻值、额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表1.1.6所示。如1R5表示1.5Ω,2K7表示2.7kΩ。表1.1.6:
文字符号RkMGT
表示单位欧姆(Ω)千欧姆(103Ω)兆欧姆(106Ω)吉咖欧姆(109Ω)太拉欧姆(1012Ω)
(2).色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如表1.1.7和表1.1.8所示。表1.1.7: 
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三色环电阻器的色环,表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。例如,色环为:棕,黑,红,表示10×102=1.0kΩ±20%的电阻。四色环电阻器的色环,表示标称值(2位有效数字)及精度。例如,色环为:棕,绿,橙,金,表示15×103=15kΩ±5%的电阻。五色环电阻器的色环,表示标称值(3位有效数字)及精度。例如,色环为:红,紫,绿,黄,棕,表示275×104=2.75MΩ±1%的电阻。一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其他环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其他色环的(1.5~2)倍。有些色环电阻由于厂家生产不规范,无法用上面的特征判断,这时只能借助万用表判断。表1.1.8: 
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4.电位器的主要技术指标:(1).额定功率。电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。(2).标称阻值。标在产品上的名义阻值,其系列与电阻的系列类似。(3).允许误差等级。实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许±20%、±10%、±5%、±2%、±1%的误差。精密电位器的精度可达±0.1%。(4).阻值变化规律。指阻值随滑动片触点旋转角度(或滑动行程)之间的变化关系,这种变化关系可以是任何函数形式,常用的有直线式、对数式和反转对数式(指数式)。在使用中,直线式电位器适合于作分压器;反转对数式(指数式)电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品,可用直线式代替,但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。5.电容器:  (1).电容器型号命名法见表1.1.9。表1.1.9:
第1部分:主称第2部分:材料第3部分:特征、分类第4部分:序号
符号意义符号意义符号意义
瓷介云母玻璃电解其它
C电容器C瓷介1圆片非密封-箔式非密封对主称、材料相同,仅性能指标、尺寸大小有差别,但基本不影响互换使用的产品,给予同一序号;若性能指标、尺寸大小明显影响互换使用时,则在序号后面用大写字母作为区别代号。
Y云母2管形非密封-箔式非密封
I玻璃釉3迭片密封-烧结粉固体密封
O玻璃膜4独石密封-烧结粉固体密封
Z纸介5穿心---穿心
J金属化纸6支柱----
B聚苯乙烯7---无极性-
L涤纶8高压高压--高压
Q漆膜9---特殊特殊
S聚碳酸脂J金属膜
H复合介质W微调
D
A
N
G合金
T
E其它
(2).电容器的主要技术指标:1).电容器的耐压:常用固定式电容的直流工作电压系列为:6.3V、10V、25V、40V、63V、100V、160V、250V、400V。2).电容器容许误差等级:常见的有7个等级,如表1.1.10所示。表1.1.10:
容许误差±2%±5%±10%±20% +20%-30%+50%-20%+100%-10%
级别0.2
3).标称电容量如表1.1.11所示。表1.1.11:
系列代号E24
容许误差±5%(Ⅰ)或(J)±10%(Ⅱ)或(K)±20%(Ⅲ)或(M)
标称容量对应值10、11、12、13、15、16、18、20、22、24、27、30、33、36、39、43、47、51、56、62、68、75、82、9010、12、15、18、22、27、33、39、47、56、68、8210、15、22、33、47、68
注:标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10n,其中n为整数,单位为pf。(3).电容器的标志方法:1).直标法。容量单位:F(法拉)、µF(微法)、nF(纳法)、pF(皮法)。1法拉=106微法=1012皮法,1微法=103纳法=106皮法,1纳法=103皮法。例如:4n7表示4.7nF或4700pF,0.22表示0.22µF,51表示51pF。有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容,例如101表示100pF;小于1的数字表示单位为µF的电容,例如0.1表示0.1µF。2).数码表示法。一般用3位数字来表示容量的大小,单位为pF。前两位为有效数字,后一位表示倍率,即乘以10n,n为第三位数字,若第三位数字是9,则乘10-1。如223J代表22×103pF=22000pF=0.22µF,允许误差为±5%;又如479K代表47×10-1pF,允许误差为±5%的电容。这种表示方法最为常见。3).色码表示法。这种表示法与电阻器的色环表示法类似,颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有3种颜色,前两环为有效数字,第3环为倍率,单位为pF。有时色环较宽,如红,红,橙,两个红色环涂成一个宽的,表示22000pF。6.电感器:(1).电感器的分类:常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等,都属电感器种类。(2).电感器的主要技术指标1).电感:在没有非线性导磁物质存在的条件下,一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流之比,称为自感,用L表示,自感与互感统称为电感。即:
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式中,Φ为磁通量,I为电流。2).固有电容:线圈各层、各匝之间,绕组与底板之间都存在着分布电容,统称为电感器的固有电容。3).品质因数:电感线圈的品质因数定义为:
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式中,ω为工作角频率,L为线圈电感,R为线圈的总损耗电阻。4).额定电流:线圈中允许通过的最大电流。5).线圈的损耗电阻:线圈的直流损耗电阻。(3).电感器电感量的标志方法:1).直标法。单位H(亨利)、mH(毫亨)、μH(微亨)。2).数码表示法。与电容器的表示方法相同。3).色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似,色码一般有4种颜色,两种颜色为有效数字,第3种颜色为倍率,单位为μH,第4种颜色是误差位。7.半导体分立器件:(1).半导体分立器件的命名方法:我国半导体分立器件的命名法见表1.1.12。表1.1.12:
第1部分第2部分第3部分第4部分第5部分
用数字表示器件电极的数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用数字表示器件的序号用汉语拼音表示规格的区别代号
符号意义符号意义符号意义符号意义
2二极管三极管ABCDABCDEN型,锗材料P型,锗材料N型,硅材料P型,硅材料PNP型,锗材料NPN型,锗材料PNP型,硅材料NPN型,硅材料化合物材料PVWCZLSNUKXG普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管低频小功率管(fa<3MHz、 Pc<1W)高频小功率管(fa≥3MHz、 Pc<1W)DATYBJCSBTFHPINJG低频大功率管(fa<3MHz、 Pc≥1W)高频大功率管(fa≥3MHz、 Pc≥1W)半导体闸流管(可控硅整流器)体效应器件雪崩管阶跃恢复管场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件
(2).常用半导体二极管的主要参数见表1.1.13。表1.1.13:,
类型型号最大整流电流(mA)正向电流(mA)正向压降(在左栏电流值下)(V)反向击穿电压(V)最高反向工作电压(V)反向电流(μA)零偏压电容(pF)反向恢复时间(nS)
普通检波二极管2AP9≤16≥2.5≤1≥4020≤250≤1fH(MHz)150
2AP7≥5≥150100
2AP11≤25≥10≤1≤10≤250≤1fH(MHz)40
2AP17≤15≥10≤100
锗开关二极管2AK1≥150≤13010≤3≤200
2AK24020
2AK5≥200≤0.96040≤2≤150
2AK10≥10≤17050≤2≤150
2AK13≥250≤0.76040
2AK147050
硅开关二极管2CK70A~E≥10≤0.8A≥30B≥45C≥60D≥75E≥90A≥20B≥30C≥40D≥50E≥60≤1.5≤3
2CK71A~E≥20≤4
2CK72A~E≥30≤1≤1≤5
2CK73A~E≥50
2CK74A~D≥100
2CK75A~D≥150
2CK76A~D≥200
整流二极管2CZ52B...H20.1≤125...600同2AP
2CZ53B...M60.3≤150...1000
2CZ54B...M100.5≤150...1000
2CZ55B...M201≤150...1000
2CZ56B...M653≤0.820...1000
1N4001...40073011.150...10005
1N5391...5399501.51.450...100010
1N5400...540820031.250...100010
(3).3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数见表1.1.14。表1.1.14:
原型号3DG6测试条件
新型号3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D
极限参数PCM(mW)100100100100
ICM(mA)20202020
BVCBO(V)≥30≥40≥30≥40Ic=100μA
BVCEO(V)≥20≥30≥20≥30Ic=100μA
BVEBO(V)≥4≥4≥4≥4IE=100μA
直流参数ICBO(μA)≤0.01≤0.01≤0.01≤0.01VEB=10V
ICEO(μA)≤0.1≤0.1≤0.1≤0.1VCE=10V
IEBO(μA)≤0.01≤0.01≤0.01≤0.01VEB=1.5V
VBES(V)≤1≤1≤1≤1Ic=10mA IB=1mA
VCES(V)≤1≤1≤1≤1Ic=10mA IB=1mA
hFE≥30≥30≥30≥30VCE=10V Ic=3mA
交流参数fT(MHz)≥150≥150≥300≥300VCE=10V IE=3mA f=100MHzRL=5Ω
Kp(dB)≥7≥7≥7≥7VCE=-6V IE=3mA f=100MHz
Cob(pF)≤4≤4≤4≤4VCE=10V IE=0
hFE色标分档       (红)30~60; (绿)50~110; (蓝)90~160; (白)>150 
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(4).9011~9018塑封硅三极管参数见表1.1.15。表1.1.15:
型号(3DG)9011(3CX)9012(3DX)9013(3DG)9014(3CG)9015(3DG)9016(3DG)9018
极限参数PCM(mW)200300300300300200200
ICM(mA)203003001001002520
BVCBO(V)20202025252530
BVCEO(V)18181820202020
BVEBO(V)5554444
直流参数ICBO(μA)0.010.50.50.050.050.050.05
ICEO(μA)0.1110.50.50.50.5
IEBO(μA)0.010.50.50.050.050.050.05
VBES(V)0.50.50.50.50.50.50.35
VCES(V)111111
hFE30303030303030
交流参数fT(MHz)1008080500600
Cob(pF)3.52.541.64
Kp(dB)10
hFE色标分档       (红)30~60; (绿)50~110; (蓝)90~160; (白)>150
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