电子基础

☉ 功率MOSFET的基本知识作者：电子基础 2006-9-30

摘要： 功率MOSFET的基本知识自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm“L...

☉ 电阻器作者：电子基础 2006-9-30

摘要： 电阻器是组成电子电路的主要元件。它是利用金属或非金属材料制成的在电路中对电流有阻碍作用的电子元件。电阻器按其结构可分为固定电阻器、半可调电阻器和电位器三大类。在电路中，固定电阻器、半可调电阻器的符号是R，电位器的符号是RP。...

☉ 双向可控硅的判断方法作者：电子基础 2006-9-30

摘要： 双向晶闸管除了一个电极G仍然叫控制极外，另外两个电极通常不再叫阳极和阴极，而统称为主电极T1和T2。双向晶闸管是一种N-P-N-P-N型5层结构的半导体，其符号和内部结构图见图1-1。r 用万用表区分...

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