2021年第三代半导体有望高速成长,GaN功率器件产值年增90%

作者:电子信息产业网 日期:2021-09-27 10:12:25 人气: 栏目:通信与网络

根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体市场调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到地缘贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然而,受到车用、工业与通信需求助力,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。

其中又以GaN(氮化镓)功率器件的成长力道最为明显,预估其今年市场规模将达6100万美元,年增率高达90.6%。

TrendForce集邦咨询进一步表示,疫苗问世后疫情有望趋缓,进而带动逆变器、变频器等工业能源转换所需零组件,以及通信基站需求回稳。此外,随着特斯拉(Tesla)Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程,第三代半导体在车用市场备受重视,将助推2021年第三代半导体成长。

电动车、工业及通信需求回温,带动第三代半导体器件营收上扬

观察各类第三代半导体器件,虽有部分晶圆制造代工厂,如台积电、世界先进等尝试导入8英寸晶圆生产GaN器件,但现行尺寸仍以6英寸为主。因疫情趋缓带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期2021年通信及功率器件营收分别为6.8亿和6100万美元,分别年增30.8%及90.6%。

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其中,GaN功率器件年增最高的主因是小米、OPPO、vivo等手机品牌自2018年起陆续推出快速充电头,凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐,笔电厂商也有意跟进。TrendForce集邦咨询预期,GaN器件会持续渗透手机与笔电配件,且年增率将在2022年达到最高峰,后续随着厂商采用逐渐普及,成长动能将略为趋缓。

SiC器件部分,由于通信及功率领域皆需使用该衬底,因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧,预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元,年增32%。目前各大衬底商如科锐(CREE)、贰陆(II-VI)、意法半导体等已陆续开展8英寸衬底研制计划,但仍有待2022年后才有望逐渐纾缓供给困境。

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图片来源:拍信网

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